替代部分美系
设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片

快科技(jì)9月20日消息，据媒体报道(dào)，长(zhǎng)江存储在面临美(měi)国出口(kǒu)限制和被列入实体(tǐ)清替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片单(dān)的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。

长江存储自(zì)研(yán)Xtacking架构可(kě)让3D NAND的层数堆叠到232层，即(jí)使与美光、三星和SK海力士等知(zhī)名制造商相比，也具有极强(qiáng)的竞争优势。

据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻 设备、北(běi)方华创的沉(chén)积与蚀刻设备，以及(jí)拓(tuò)荆科技的沉积设(shè)备，成功制造出(chū)3D NAND闪存芯片。

TechInsights称，虽然(rán)长(zhǎng)江存储仍继续(xù)依赖ASML和泛林集(jí)团等外国供应商提供(gōng)关键工具，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生(shēng)产流程的大部分。

不过长江存储使用国产设(shè)备生产的(de)最新NAND芯片在堆(duī)叠层数上做了相应的妥(tuǒ)协，比早(zǎo)期产品少
了约70层，且产量较低。

对此长江(jiāng)存储(chǔ)在回应(yīng)中表示，公(gōng)司(sī)正(zhèng)在(zài)不断(duàn)优化产品性(xìng)能，层数(shù)变化与设(shè)备产(chǎn)量无
关，随着制造工艺、流程及(jí)经验的不断成熟，会不(bù)断增加(jiā)堆叠(dié)层数。

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