替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片

快科(kē)技9月20日消息，据媒体报道，长江存储(chǔ)在面临美(měi)国出口限制和被列入实体清单的(de)双重压力下，已成功采用国产半导体设备(bèi)替代部分美系设备。

长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层(céng)数堆叠到232层，即使(shǐ)与美(měi)光、三星和SK海力士等知名(míng)制造商相比，也具有(yǒu)极强的(de)竞争优势。

据(jù)悉，长江(jiāng)存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉(chén)积与(yǔ)蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备(bèi)，成功制(zhì)造 出3D NAND闪(shǎn)存(cún)芯片。

TechInsights称，虽 然长(zhǎng)江存储(chǔ)仍继续依(yī)赖ASML和泛林集(jí)团等(děng)外国供应商提供关键工具(jù)，但中国国产半导体设备(bèi)供应商越(yuè)来越(yuè)多地承担了生(shēng)产流(liú)程 的(de)大部分。

不过长江存储使用国产设(shè)备生产的(de)最新NAND芯片在堆叠层数(shù)上做了相应的妥协，比早期产品少了
约70层，且(qiě)产量较低。

对此长江存储在
回应中表示，公司正在(zài)不断优(yōu)化产品(pǐn)性能，层(céng)数变化与 设
备产量无关(guān)，随着制造工艺、流程及(jí)经(jīng)验(yàn)的不(bù)断(duàn)成熟，会不断增加堆叠层数。<替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片/p>

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